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IXFN70N60Q2
100
90
Fig. 7. Input Admittance
90
80
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
70
60
50
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
40
30
20
10
0
T J = 120 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
140
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V D S = 300V
120
100
8
I D = 35A
I G = 10mA
80
6
60
40
20
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
40
80
120
160
200
240
280
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Resistance
0.16
0.14
C iss
f = 1M Hz
0.12
0.1
1000
C oss
0.08
0.06
0.04
100
C rss
0.02
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
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